半导体器件及其制造方法

摘要

本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：衬底；鳍片，位于所述衬底上，所述鳍片具有相对分布的一对第一侧面和一对第二侧面，所述第一侧面和第二侧面相邻；以及一对栅极区，位于所述衬底上并且分别与所述鳍片的第一侧面相邻接；其中，所述鳍片包括：一对沟道区，位于所述鳍片中并且与所述栅极区相邻地分布，源/漏区，与所述沟道区和鳍片的第二侧面相接，以及晕圈超陡倒退阱区，其被所述沟道区和源/漏区所环绕。该半导体器件同时具备FinFET器件及平面MOSFET器件的优点，即，既能有效控制短沟道效应，又能减小寄生电阻和寄生电容。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底；鳍片，位于所述衬底上，所述鳍片具有相对分布的一对第一侧面和一对第二侧面，所述第一侧面和第二侧面相邻；以及一对栅极区，位于所述衬底上并且分别与所述鳍片的第一侧面相邻接，所述栅极区包括栅极介质层和栅极电极层，所述栅极介质层接于所述鳍片的第一侧面，所述栅极电极层与所述鳍片被所述栅极介质层电学隔离；其中，所述鳍片包括：一对沟道区，位于所述鳍片中并且与所述栅极区相邻地分布，源/漏区，与所述沟道区和鳍片的第二侧面相接，以及一对晕圈超陡倒退阱区，其被所述沟道区和源/漏区所环绕。