| 发明名称 | 半导体元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体元件及其制造方法，该半导体元件，包括：一基板，具有一第一有源区与一第二有源区；具有第一栅间距的多个第一栅电极，位于该第一有源区之上，其中每一第一栅电极具有一第一宽度；多个第一间隔物，邻近所述多个第一栅电极，其中每一第一间隔物具有一第三宽度；具有与所述多个第一栅电极的相同栅间距的多个第二栅电极，位于该第二有源区之上，其中每一第二栅电极具有大于该第一宽度的一第二宽度；以及多个第二间隔物，邻近所述多个第二栅电极，其中每一第二间隔物具有少于该第三宽度的一第四宽度。本发明的实施例可形成无孔洞的层间介电层，进而改善了元件表现。 | ||
| 申请公布号 | CN102347330B | 申请公布日期 | 2013.07.10 |
| 申请号 | CN201110038174.3 | 申请日期 | 2011.02.11 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 张立伟;朱鸣;林慧雯;杨宝如;庄学理 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张浴月;刘文意 |
| 主权项 | 一种半导体元件，包括：一基板，具有一第一有源区与一第二有源区；具有第一栅间距的多个第一栅电极，位于该第一有源区之上，其中每一第一栅电极具有一第一宽度，其中该第一宽度与该栅间距之间具有0.20‑0.25的一比率；多个第一间隔物，邻近所述多个第一栅电极，其中每一第一间隔物具有一第三宽度；具有与所述多个第一栅电极的相同栅间距的多个第二栅电极，位于该第二有源区之上，其中每一第二栅电极具有大于该第一宽度的一第二宽度；以及多个第二间隔物，邻近所述多个第二栅电极，其中每一第二间隔物具有少于该第三宽度的一第四宽度。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||