用于测定半导体开关温度的设备及电路装置

摘要

本申请涉及一种用于测定半导体开关温度的设备及电路装置，其中该半导体开关（1）具有集成的栅极电阻（RGint），该设备包括：操控电路（3），其构建成用于通过经与半导体开关（1）的栅极电阻端子（GA）连接的外部电阻（Rext）提高半导体开关（1）的栅极-发射极电压（UGE）来接通半导体开关（1），持续时间测定单元（14），其构建成用于测定在提高半导体开关（1）的栅极-发射极电压（UGE）期间栅极-发射极电压（UGE）从第一电压（U1）上升到第二电压（U2）需要的持续时间（dt），以及温度测定单元（14），其构建成用于借助所测定的持续时间（dt）来测定半导体开关（1）的温度（T）。本实用新型使高动态地测定半导体开关的温度成为可能。

主权项

用于测定半导体开关温度的设备，其特征在于，所述半导体开关（1）具有集成的栅极电阻（RGint），所述设备包括： ‑操控电路（3），其构建成用于通过经与所述导体开关（1）的栅极电阻端子（GA）连接的外部电阻（Rext）提高所述半导体开关（1）的栅极‑发射极电压（UGE）来接通所述半导体开关（1）, ‑持续时间测定单元（14），其构建成用于测定在提高所述半导体开关（1）的栅极‑发射极电压（UGE）期间所述栅极‑发射极电压（UGE）从第一电压（U1）上升到第二电压（U2）需要的持续时间（dt），以及 ‑温度测定单元（14），其构建成用于借助所测定的持续时间（dt）来测定所述半导体开关（1）的温度（T）。