| 发明名称 | 射频识别中的限幅电路 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种射频识别中的限幅电路，包括：耦合整流模块，限幅模块；所述限幅模块包括：第一电阻，其一端与耦合整流模块的输出端相连接，另一端与第一PMOS晶体管的源极、第三PMOS晶体管的源极、第四PMOS晶体管的源极和第二电容的一端相连接；第一PMOS晶体管的栅极与其漏极、第二PMOS晶体管的源极和第三PMOS晶体管的栅极相连接；第二PMOS晶体管的栅极与其漏极、第三NMOS晶体管的栅极和第二电阻的一端相连接；第三NMOS晶体管的漏极与第三PMOS晶体管的漏极和第四PMOS晶体管的栅极相连接。本发明能使输出的限幅电压更加稳定。 | ||
| 申请公布号 | CN103199814A | 申请公布日期 | 2013.07.10 |
| 申请号 | CN201210004084.7 | 申请日期 | 2012.01.06 |
| 申请人 | 上海华虹集成电路有限责任公司 | 发明人 | 马和良 |
| 分类号 | H03G11/00(2006.01)I | 主分类号 | H03G11/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 戴广志 |
| 主权项 | 一种射频识别中的限幅电路，包括：耦合整流模块，与该耦合整流模块相连接的限幅模块；其特征在于，所述限幅模块包括：第一电阻，其一端与耦合整流模块的输出端相连接，另一端与第一PMOS晶体管的源极、第三PMOS晶体管的源极、第四PMOS晶体管的源极和第二电容的一端相连接；第一PMOS晶体管的栅极与其漏极、第二PMOS晶体管的源极和第三PMOS晶体管的栅极相连接；第二PMOS晶体管的栅极与其漏极、第三NMOS晶体管的栅极和第二电阻的一端相连接；第三NMOS晶体管的漏极与第三PMOS晶体管的漏极和第四PMOS晶体管的栅极相连接；第二电阻的另一端、第三NMOS晶体管的源极、第四PMOS晶体管的漏极和第二电容的另一端接地。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区碧波路572弄39号 | ||