通过背面图形化降低MEMS芯片封装应力的方法

摘要

通过背面图形化降低MEMS芯片封装应力的方法，具体步骤为：在MEMS芯片的背面层上涂敷光刻胶；对光刻胶进行曝光、显影，在背面层上形成光刻胶图形；以光刻胶图形作为蚀刻掩蔽膜对MEMS芯片的背面层进行蚀刻，形成装片柱；在封装管壳的底板上涂抹粘片胶，将带有装片柱的MEMS芯片通过装片柱固定在封装管的壳底板上，固化后将MEMS芯片的压焊块用导线与封装管壳侧面的金属焊块电连接，盖上封装盖板。本发明的方法在降低MEMS芯片与封装管壳的底板水平方向接触面积的同时，增加了装片柱的表面积，保证了MEMS芯片与粘片胶有足够的接触面积，从而在降低封装应力的同时，保证了抗机械冲击力。

主权项

通过背面图形化降低MEMS芯片封装应力的方法，具体步骤为：（1）在MEMS芯片的背面层上涂敷光刻胶；（2）对光刻胶进行曝光、显影，在背面层上形成光刻胶图形；（3）以光刻胶图形作为蚀刻掩蔽膜对MEMS芯片的背面层进行蚀刻，形成装片柱；（4）在封装管壳的底板上涂抹粘片胶，将带有装片柱的MEMS芯片固定在封装管壳的底板上，固化；（5）将MEMS芯片的压焊块用导线与封装管壳侧面的金属焊块电连接，盖上封装盖板。