| 发明名称 | 磁控溅射环装置及磁控溅射反应器 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种磁控溅射环装置及磁控溅射反应器。其中磁控溅射环装置包括：磁控溅射环，包括内环侧壁和外环侧壁；定位销，设置在所述磁控溅射环的外环侧壁上，磁控溅射环通过定位销固定在磁控溅射腔室的侧壁上，所述定位销的表面具有膜层，所说膜层具有图案。应用本实用新型的磁控溅射环装置可以减少附着在磁控溅射环装置表面的溅射材料原子掉落至基板上，从而影响基片成膜质量。另外，提高磁控溅射环的使用寿命。 | ||
| 申请公布号 | CN203049024U | 申请公布日期 | 2013.07.10 |
| 申请号 | CN201220750453.2 | 申请日期 | 2012.12.31 |
| 申请人 | 宁波江丰电子材料有限公司 | 发明人 | 姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;汪涛 |
| 分类号 | C23C14/35(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种磁控溅射环装置，其特征在于，包括：磁控溅射环，包括内环侧壁和外环侧壁；定位销，设置在所述磁控溅射环的外环侧壁上，磁控溅射环通过定位销固定在磁控溅射腔室的侧壁上，所述定位销的表面具有膜层，所述膜层具有图案。 | ||
| 地址 | 315400 浙江省宁波市余姚市经济开发区名邦科技工业园区安山路198号 | ||