发明名称 |
立方相钪锗氧化物的高温高压制备方法 |
摘要 |
本发明的立方相钪锗氧化物的高温高压制备方法属于磁性材料制备的技术领域。以氧化钪、氧化锗为原料,经混料压块、组装、高温高压合成、冷却卸压的工艺过程制得立方相钪锗氧化物;所述的高温高压合成,是在压力为5GPa、温度为1300~1500℃下保温保压15~60分钟,最后冷却卸压。本发明的方法完全是在无水无改良剂环境中进行的,从根本上避免不必要杂质的出现,所得的立方相钪锗氧化物纯度高;所采用的高温高压设备目前在国内被大量用来生产金刚石,其操作简单,可以较快地实施产业化,并且能得到高品质的立方相钪锗氧化物。 |
申请公布号 |
CN103198912A |
申请公布日期 |
2013.07.10 |
申请号 |
CN201310125735.2 |
申请日期 |
2013.04.12 |
申请人 |
吉林大学 |
发明人 |
王欣;李会;朱品文;袁宝;陶强 |
分类号 |
H01F1/10(2006.01)I;C04B35/01(2006.01)I;C04B35/645(2006.01)I |
主分类号 |
H01F1/10(2006.01)I |
代理机构 |
长春吉大专利代理有限责任公司 22201 |
代理人 |
王恩远 |
主权项 |
一种立方相钪锗氧化物的高温高压制备方法,以氧化钪、氧化锗为原料,经混料压块、组装、高温高压合成、冷却卸压的工艺过程制得立方相钪锗氧化物;所述的混料压块,是将氧化钪和氧化锗按摩尔比1∶2进行混合,按合成腔体大小压成片状;所述的组装,是先在片状样品外包裹氮化硼管,再装入石墨管加热容器,最后放入叶蜡石合成腔体中;所述的高温高压合成,是在高温高压装置上进行,在压力为5GPa、温度为1300~1500℃下保温保压15~60分钟;所述的冷却卸压,是停止加热后自然冷却至室温后卸压,或者是停止加热后先保压5~10分钟后卸压,再自然冷却至室温。 |
地址 |
130012 吉林省长春市前进大街2699号 |