发明名称 | 具有多个等离子体室的游离基反应器 | ||
摘要 | 在游离基反应器中提供两个或者更多等离子体室以在不同条件下生成气体的游离基用于在原子层沉积(ALD)工艺中使用。游离基反应器具有如下本体,该本体具有多个通道和对应工艺室。每个等离子体室由外电极包围并且具有经过室延伸的内电极。在跨外电极和内电极施加电压而气体存在于等离子体室中时,在等离子体室中生成气体的游离基。然后向混合室中注入在等离子体室中生成的游离基用于与来自另一等离子体室的另一气体的游离基混合、然后向衬底上注入。通过提供两个或者更多等离子体室,可以在相同游离基反应器内生成气体的不同游离基,这可以避免需要分离的游离基反应器。 | ||
申请公布号 | CN103201408A | 申请公布日期 | 2013.07.10 |
申请号 | CN201180053345.8 | 申请日期 | 2011.10.31 |
申请人 | 思诺斯技术公司 | 发明人 | 李相忍 |
分类号 | C23C16/00(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/00(2006.01)I |
代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华;张宁 |
主权项 | 一种用于在衬底上沉积一个或者多个材料层的游离基反应器,包括:与所述衬底装配于其上的基座相邻放置的本体,所述本体形成有:第一等离子体室,被配置用于接收第一气体,第二等离子体室,被配置用于接收第二气体,以及混合室,连接到所述第一等离子体室和所述第二等离子体室以从所述第一等离子体室和所述第二等离子体室接收所述第一气体的游离基和所述第二气体的游离基;第一内电极,在所述第一等离子体室内延伸,所述第一内电极被配置用于通过跨所述第一内电极和第一外电极施加第一电压差在所述第一等离子体室内生成所述第一气体的所述游离基;以及第二内电极,在所述第二等离子体室内延伸,所述第二内电极被配置用于通过跨所述第二内电极和第二外电极施加第二电压差在所述第二等离子体室内生成所述第二气体的所述游离基。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |