半导体装置及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体装置及其制造方法，其在开口部具有通道的纵向半导体装置中，可提高高频特性。其特征在于，具有n型GaN类漂移层（4）、p型GaN类势垒层（6）、n型GaN类接触层（7），开口部（28）从表层到n型GaN类漂移层内，其结构具有包含覆盖该开口部配置的电子移动层（22）和电子供给层（26）的再生长层（27）、源极（S）、漏极（D）和位于在生长成上栅极（G），可视为以源极为一方电极，以漏极为另一方的电极而构成电容，具有降低该电容的容量的容量降低结构。

主权项

一种包含设有开口部的GaN类层叠体的纵向半导体装置，其特征在于，所述GaN类层叠体，朝向表层侧依次具有n型GaN类漂移层、p型GaN类势垒层、n型GaN类接触层，所述开口部从表层开始达到所述n型GaN类漂移层内，具有：再生长层，其位于覆盖该开口部的位置，包含电子移动层和电子供给层；源极，其位于所述开口部周围，以与所述n型GaN类接触层、所述再生长层和所述p型GaN类势垒层相接；漏极，其与所述源极夹持所述GaN类层叠体，位于与所述开口部中心重合的位置；和栅极，其位于所述再生长层上，对于以所述源极为一个电极，以所述漏极为另一个电极，且之间配置有电介质材料的电容，具有容量降低结构，作为使该电容的容量降低的结构。