发明名称 双面散热的高效大功率半导体激光器
摘要 双面散热的高效大功率半导体激光器,属于半导体光电子技术领域。其包括:从上往下依次纵向层叠的具有散热和高导电导热功能的转移衬底,上散热电极,上重掺接触层,上限制层,有源区,下限制层,下重掺接触层,下散热电极。其在制备过程中引入外延结构。所述的外延结构带有腐蚀停层或带有牺牲层。带有腐蚀停层的外延结构,包括有依次纵向层叠的上重掺接触层,上限制层,有源区,下限制层,下重掺接触层,腐蚀停层,缓冲层,衬底。带有牺牲层的外延结构,包括有依次纵向层叠的上重掺接触层,上限制层,有源区,下限制层,下重掺接触层,牺牲层,缓冲层,衬底。本实用新型器件散热性能好,激光输出功率高,光电特性好。使用寿命长。节约成本。
申请公布号 CN203056367U 申请公布日期 2013.07.10
申请号 CN201220354910.6 申请日期 2012.07.20
申请人 沈光地 发明人 沈光地;马莉;陈依新
分类号 H01S5/024(2006.01)I 主分类号 H01S5/024(2006.01)I
代理机构 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人 魏聿珠
主权项 双面散热的高效大功率半导体激光器,其特征在于:其包括:从上往下依次纵向层叠的具有散热和高导电导热功能的转移衬底(11),上散热电极(10),上重掺接触层(2),上限制层(3),有源区(4),下限制层(5),下重掺接触层(6),下散热电极(91)。
地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号,光电子技术实验室