发明名称 | 阻气膜、其制造方法、电子装置用构件以及电子装置 | ||
摘要 | 本发明为一种阻气膜、其制造方法、包含该阻气膜的电子装置用构件、以及具备该电子装置用构件的电子装置,所述阻气膜为具备基材层和位于该基材层的至少单面的阻气层的阻气膜,前述基材层包含玻璃化转变温度(Tg)超过130℃的树脂,前述阻气层由至少包含O原子和Si原子的材料构成,其表层部中,相对于O原子、N原子以及Si原子的总存在量,O原子的存在比率为60~75%、N原子的存在比率为0~10%、Si原子的存在比率为25~35%,且该表层部的膜密度为2.4~4.0g/cm3。根据本发明,提供阻气性、透明性、耐弯折性以及耐热性均优异的阻气膜、其制造方法、包含该阻气膜的电子装置用构件、以及具备该电子装置用构件的电子装置。 | ||
申请公布号 | CN103201109A | 申请公布日期 | 2013.07.10 |
申请号 | CN201180055899.1 | 申请日期 | 2011.09.16 |
申请人 | 琳得科株式会社 | 发明人 | 伊藤雅春;近藤健;铃木悠太 |
分类号 | B32B27/00(2006.01)I | 主分类号 | B32B27/00(2006.01)I |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 蔡晓菡;孟慧岚 |
主权项 | 阻气膜,其为具备基材层和位于该基材层的至少单面的阻气层的阻气膜,所述基材层包含玻璃化转变温度(Tg)超过130℃的树脂,所述阻气层由至少包含氧原子和硅原子的材料构成,其表层部中,相对于氧原子、氮原子以及硅原子的总存在量,氧原子的存在比率为60~75%、氮原子的存在比率为0~10%、硅原子的存在比率为25~35%,且该表层部的膜密度为2.4~4.0g/cm3。 | ||
地址 | 日本东京都 |