非易失性半导体存储器装置及其写入方法

摘要

一种非易失性半导体存储器装置及其写入方法。该非易失性半导体存储器装置包括：一非易失性的存储器单元阵列；以及一控制电路，用以控制该存储器单元阵列的写入。在擦除已写入存储器单元的数据的擦除处理之前或之后，上述控制电路检测写入至上述存储器单元阵列时的写入速度，决定每区块或每字线的对应该写入速度的写入开始电压，存储上述所决定的写入开始电压于上述存储器单元阵列，以及从上述存储器单元阵列读出写入开始电压以写入预定数据。

主权项

一种非易失性半导体存储器装置，包括：一非易失性的存储器单元阵列；以及一控制电路，用以控制该存储器单元阵列的写入；其中在擦除已写入存储器单元的数据的擦除处理之前或之后，上述控制电路检测写入至上述存储器单元阵列时的写入速度，决定每区块或每字线的对应该写入速度的写入开始电压，存储上述所决定的写入开始电压于上述存储器单元阵列，以及从上述存储器单元阵列读出写入开始电压以写入预定数据。