利用重卤化物的离子植入

摘要

一种等离子体掺杂方法，包括提供包括掺质重卤化物气体的掺质气体至等离子体室。于所述等离子体室中，使用所述掺质重卤化物气体形成等离子体，以及所述等离子体产生适当的掺质离子与前驱掺质分子的重碎片。对所述等离子体室中的基底施加偏压，使得所述适当的掺质离子会以适当的离子能量撞击所述基底，从而将所述适当的掺质离子与所述前驱掺质分子的重碎片植入所述基底，其中至少选择所述离子能量与所述掺质重卤化物组成中的一者，使得所述基底中的植入轮廓实质上由所述适当的掺质离子决定。

主权项

一种等离子体掺杂方法，包括：提供掺质重卤化物气体至等离子体室；于所述等离子体室中使用所述掺质重卤化物气体形成等离子体，所述等离子体产生适当的掺质离子与前驱掺质分子的重碎片；在基底上形成表层；对所述等离子体室中的所述基底施加偏压，使得所述适当的掺质离子会以适当的离子能量撞击所述基底；将所述适当的掺质离子与所述前驱掺质分子的重碎片植入所述基底与所述表层中的至少一者，所述适当的掺质离子植入至第一植入深度，所述前驱掺质分子的重碎片植入至第二植入深度，所述第二植入深度实质上等于或小于所述第一植入深度的20％；以及在所述植入后移除所述表层，其中至少选择离子能量与掺质重卤化物组成中的一者，使得所述基底中的植入轮廓实质上由所述适当的掺质离子决定。