基于PMOS晶体管的源极跟随器

摘要

本发明提供一种基于PMOS晶体管的源极跟随器，属于源极跟随器技术领域。该源极跟随器包括电流源和用作输入器件的PMOS晶体管，其中，所述PMOS晶体管的体端与源极跟随器的输入端（Vin）连接，以至于使N阱NMOS晶体管的源极与体端之间的电压（Vsb）在输入信号变化的情况下基本保持恒定。该源极跟随器失真小、线性度好，尤其适合于在高速大负载场合应用。

主权项

一种基于PMOS晶体管的源极跟随器，包括电流源和用作输入器件的PMOS晶体管，其中，所述PMOS晶体管的栅极被定义为所述源极跟随器的输入端（Vin），所述PMOS晶体管的源极被定义为所述源极跟随器的输出端（Vout），所述PMOS晶体管的漏极连接接地信号（GND），高电平信号（VDD）从所述电流源的一端接入，并且所述电流源的另一端输出电流至所述源极；其特征在于，所述PMOS晶体管的体端（B）与所述输入端（Vin）连接，以至于使所述源极与所述体端之间的电压（Vsb）在输入信号变化的情况下基本保持恒定。