发明名称 |
TEM样品的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及半导体制作领域,确切的说,涉及一种TEM样品的制备方法,包括以下步骤:S1、于所述衬底的上表面沉积第一涂层;S2、切割所述第一涂层至所述衬底的下表面;S3、制备第二涂层覆盖所述第一横截面的表面;S4、切割所述第一样品结构上剩余的第一涂层至剩余的衬底的下表面;S5、切割所述第二涂层至剩余衬底的下表面形成具有第二截面的TEM样品结构;S6、继续对所述TEM样品的目标横截面进行分析。本发明通过改进保护层的沉积方法和增加沉积保护层的次数,使TEM样品厚度达到最佳的分析厚度(40-60nm),在分析中能清楚分辨出扩散阻挡层和铜的分界面,提高了TEM样品的分析质量。 |
申请公布号 |
CN103196718A |
申请公布日期 |
2013.07.10 |
申请号 |
CN201310082083.9 |
申请日期 |
2013.03.14 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
王炯翀 |
分类号 |
G01N1/28(2006.01)I |
主分类号 |
G01N1/28(2006.01)I |
代理机构 |
上海申新律师事务所 31272 |
代理人 |
竺路玲 |
主权项 |
一种TEM样品的制备方法,应用于具有铜籽晶结构的衬底上,所述铜籽晶结构包括沟槽,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1、于所述衬底的上表面沉积第一涂层,且该第一涂层充满所述沟槽;步骤S2、切割所述第一涂层至所述衬底的下表面,形成具有第一横截面的第一样品结构;步骤S3、制备第二涂层覆盖所述第一横截面的表面;步骤S4、切割所述第一样品结构上剩余的第一涂层至剩余的衬底的下表面,形成具有目标横截面的第二样品结构,且该第二样品结构包括覆盖有第二涂层的第一横截面;步骤S5、切割所述第二涂层至位于所述第一横截面表面的第二涂层的下表面,形成具有第二横截面和所述目标横截面的TEM样品结构;步骤S6、继续对所述TEM样品的目标横截面进行分析;其中,所述目标横截面与所述第一横截面之间的距离为40‑60nm。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 |