铜填充硅通孔的制作方法

摘要

本发明涉及一种铜填充硅通孔的制作方法，包括以下步骤：在硅晶片表面形成硅通孔；在上述结构表面沉积绝缘层；接着在上述结构表面沉积一层或多层阻挡层，同时采用穿通刻蚀工艺，去除硅通孔底部的阻挡层和绝缘层；将硅晶片浸入含铜离子的稀释氢氟酸溶液中5-600秒，在硅通孔的底部形成铜种子层；采用化学镀铜工艺，在铜种子层上填充铜；去除晶片上表面的铜、阻挡层和绝缘层；研磨晶片的下表面减薄至硅通孔的底部并去除铜的种子层。本发明采用硅通孔底部的种子层，通过化学镀铜完成铜的填充，消除了硅通孔中的孔隙，提高可靠性，同时节约成本。

主权项

一种铜填充硅通孔的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在硅晶片表面形成硅通孔；在上述结构表面沉积一层绝缘层；接着在上述结构表面沉积一层或多层阻挡层，同时采用穿通刻蚀工艺，去除硅通孔底部的阻挡层和绝缘层；将硅晶片浸入含铜离子的稀释氢氟酸溶液中5‑600秒，在硅通孔的底部形成铜种子层；采用化学镀铜工艺，在铜种子层上填充铜；去除晶片上表面的铜、阻挡层和绝缘层；研磨晶片的下表面减薄至硅通孔的底部并去除铜种子层。