材料表面局部光谱测量装置及测量方法

摘要

本发明提供材料表面局部光谱测量装置及测量方法，属于半导体测试技术领域。装置包括反应腔、光源和光谱仪，光源和光谱仪均与反应腔相连，反应腔又包括第一真空腔、第二真空腔、真空阀门、真空传递装置、聚焦离子束刻蚀装置和光路耦合装置；其方法步骤为：将待测样品置于样品台上；关闭真空阀；将探针插入至第一针尖台；去除探针的污染物和氧化物；对探针刻蚀，形成天线结构；打开真空阀；将探针从第一针尖台传递并插入至第二针尖台；关闭真空阀；测量待测样品的表面光谱。本发明解决了针尖在刻蚀加工和使用之间的传递过程中的表面的污染和氧化，扩展了用于针尖镀膜的金属材料的选择范围。

主权项

一种材料表面局部光谱测量装置，其特征在于，包括一反应腔、一光源和一光谱仪；所述光源和光谱仪均与反应腔相连；所述反应腔是真空系统，包括一第一真空腔、一第二真空腔、一真空阀门、一真空传递装置、一聚焦离子束刻蚀装置和一光路耦合装置；所述第一真空腔和第二真空腔的腔体相连，通过真空阀门控制连通与隔绝；所述第一真空腔包括一第一窗口、一镀有金属膜的探针和一第一针尖台；所述第二真空腔包括一第二窗口、一第二针尖台、一样品台；所述聚焦离子束刻蚀装置通过第一窗口与第一真空腔相连，光路耦合装置通过第二窗口与第二真空腔相连；所述真空传递装置用于在第一针尖台和第二针尖台之间传递探针。