| 发明名称 | 用于互补双极工艺的全介质隔离SOI材料片的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种用于互补双极工艺的全介质隔离SOI材料片的制造方法，步骤包括在单晶硅片一上制作N型埋层和P型埋层；在单晶硅片一上进行深槽刻蚀、牺牲层氧化、沟阻氧化、淀积填槽多晶硅及CMP多晶硅，形成介质隔离区；在单晶硅片二上生长埋氧层；对已形成介质隔离区的所述单晶硅圆片一与已形成埋氧层的所述单晶硅圆片二进行正面硅硅键合，形成SOI硅材料片；对单晶硅片一那面的衬底进行减薄、CMP精抛光，最终形成所述的用于互补双极工艺的全介质隔离SOI材料片。本发明方法具有制作成本低、有源层缺陷少、有源层参数一致性好、无图形漂移等特点，可广泛用于全介质隔离互补双极工艺的制造领域。 | ||
| 申请公布号 | CN103199051A | 申请公布日期 | 2013.07.10 |
| 申请号 | CN201310110891.1 | 申请日期 | 2013.04.01 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 | 发明人 | 唐昭焕;税国华;胡刚毅;李儒章;王斌;张杨波;吴建 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/8222(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种用于互补双极工艺的全介质隔离SOI材料片的制造方法，其特征在于，该方法步骤为：（1）在单晶硅片一上制作N型埋层和P型埋层；（2）在形成N型埋层和P型埋层的单晶硅片一上进行深槽刻蚀、牺牲层氧化、沟阻氧化、淀积填槽多晶硅及CMP多晶硅，形成介质隔离区；（3）在单晶硅片二上生长埋氧层；（4）对已形成介质隔离区的所述单晶硅圆片一与已形成埋氧层的所述单晶硅圆片二进行正面硅硅键合，形成SOI硅材料片；（5）在所述SOI硅材料片上，对其单晶硅片一那面的衬底进行减薄、CMP精抛光，最终形成所述用于互补双极工艺的全介质隔离SOI材料片。 | ||
| 地址 | 400060 重庆市南岸区南坪花园路14号 | ||