提高PMOS栅氧负偏压温度不稳定性的方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种提高PMOS栅氧负偏压温度不稳定性的方法，通过采用SiCoNi清洗工艺对PMOS衬底进行预清洗后，于该衬底上继续生长栅氧层后，进行退火工艺，以使得制备的PMOS器件的NBTI能够得到有效的改善，且降低了BF2的注入的同时，还避免如鼓包等缺陷的产生，进而提高产品的性能和良率。

主权项

一种提高PMOS栅氧负偏压温度不稳定性的方法，其特征在于，包括：采用预清洗工艺对一半导体衬底的表面进行处理；继续对所述半导体衬底进行栅氧生长工艺后，进行退火工艺；其中，所述预清洗工艺为SiCoNi清洗工艺。