| 发明名称 | MIM电容器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了MIM电容器及其制造方法。所述MIM电容器，包括第一金属层和形成于所述第一金属层上的绝缘层，所述绝缘层包括形成于所述第一金属层上的缓冲绝缘层和形成于所述缓冲绝缘层上的至少一层本体绝缘层，其中所述缓冲绝缘层的厚度小于本体绝缘层的厚度。采用上述MIM电容器，可以有效减少绝缘层的脱膜现象，从而提高MIM电容器的连接性能和可靠性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103199081A | 申请公布日期 | 2013.07.10 |
| 申请号 | CN201310121622.5 | 申请日期 | 2013.04.09 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 童智钊 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 陆花 |
| 主权项 | 一种MIM电容器，包括第一金属层和形成于所述第一金属层上的绝缘层，其特征在于，所述绝缘层包括形成于所述第一金属层上的缓冲绝缘层和形成于所述缓冲绝缘层上的至少一层本体绝缘层，其中所述缓冲绝缘层的厚度小于本体绝缘层的厚度。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 | ||