| 发明名称 | 用于改善快速热退火均匀性的伪形状的可变重叠 | ||
| 摘要 | 本发明的实施例提供了一种用于改善快速热退火均匀性的伪形状的可变重叠的方法、结构、服务等。一种在快速热退火工艺过程中跨晶片的有限区域提供均匀温度的方法包括：通过测量该有限区域的第一部分中的第一结构的密度，确定(400)该第一部分中的第一反射率。接着，该方法通过测量该有限区域的第二部分中的第二结构的密度，确定(410)该第二部分中的第二反射率。具体地，该第一结构包括扩散填充形状(105)和多晶硅导体填充形状(115)(非有源伪结构)；并且该第二结构包括有源电路结构。 | ||
| 申请公布号 | CN101454870B | 申请公布日期 | 2013.07.10 |
| 申请号 | CN200780018975.5 | 申请日期 | 2007.06.07 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 布伦特·A·安德森;H·S·兰迪斯;E·J·诺瓦克 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 屠长存 |
| 主权项 | 一种在快速热退火工艺过程中跨晶片的区域提供均匀温度的方法，所述方法包括：通过测量所述区域的第一部分中的第一结构的密度，确定所述第一部分中的第一反射率，其中所述第一结构包括扩散填充形状和多晶硅导体填充形状；通过测量所述区域的第二部分中的第二结构的密度，确定所述第二部分中的第二反射率；比较所述第一反射率和所述第二反射率；以及调节所述第一部分中的所述第一结构的重叠量，以使所述第一部分的所述第一反射率和所述第二部分的所述第二反射率平衡，其中调节所述第一结构的所述重叠量包括：调节扩散填充形状和多晶硅导体填充形状的重叠量。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||