发明名称 |
薄膜晶体管、阵列基板和显示装置 |
摘要 |
本实用新型公开了一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置,涉及显示领域,可在不影响开口率的情况下,增大TFT的沟道宽度并且降低栅漏之间的寄生电容,从而降低像素电压的浮动,提升显示效果。本实用新型所述薄膜晶体管包括:有源层;刻蚀阻挡层,覆盖于有源层之上;源电极和漏电极,位于刻蚀保护层之上;刻蚀阻挡层上设置有圆形过孔和围在所述圆形过孔外围的U形过孔,所述U形过孔的曲率圆心和所述圆形过孔的圆心相重合;源电极通过U形过孔与下层的有源层连接,漏电极通过圆形过孔与下层的有源层连接。所述阵列基板和显示装置设置有所述的薄膜晶体管。 |
申请公布号 |
CN203055919U |
申请公布日期 |
2013.07.10 |
申请号 |
CN201220556865.2 |
申请日期 |
2012.10.26 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
发明人 |
杨海鹏 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 |
代理人 |
申健 |
主权项 |
一种薄膜晶体管,包括:有源层;刻蚀阻挡层,覆盖于所述有源层之上;源电极和漏电极,位于所述刻蚀阻挡层之上;其特征在于, 所述刻蚀阻挡层上设置有圆形过孔和围在所述圆形过孔外围的U形过孔,所述U形过孔的曲率圆心和所述圆形过孔的圆心相重合; 所述源电极通过所述U形过孔与下层的所述有源层连接,所述漏电极通过所述圆形过孔与下层的所述有源层连接。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |