| 发明名称 | 采用选择性制作的碳纳米管可逆电阻切换元件的存储单元及其形成方法 | ||
| 摘要 | 在一些方面，提供了一种制作存储单元的方法，其包括(1)在基底上制作控制元件；(2)通过在基底上选择性制作碳纳米管(CNT)材料，来制作耦接到控制元件的可逆电阻切换元件。提供了许多其它方面。 | ||
| 申请公布号 | CN101919047B | 申请公布日期 | 2013.07.10 |
| 申请号 | CN200880123685.1 | 申请日期 | 2008.12.30 |
| 申请人 | 桑迪士克3D有限责任公司 | 发明人 | 马克·克拉克;布拉德·赫纳;阿普里尔·施里克 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 黄小临 |
| 主权项 | 一种制作存储单元的方法，包括： 在基底上制作控制元件；以及 通过在所述基底上选择性地制作碳纳米管材料，来制作耦接到所述控制元件的可逆电阻切换元件， 其中，制作所述可逆电阻切换元件包括： 制作碳纳米管引晶层； 布图并蚀刻所述碳纳米管引晶层；以及 在所述碳纳米管引晶层上选择性地制作碳纳米管材料， 其中，制作所述碳纳米管引晶层包括： 沉积氮化钛；以及 粗糙化所沉积的氮化钛的表面。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||