发明名称 | 半导体发光器件 | ||
摘要 | 一种半导体发光器件包括:第一导电型半导体层、第一电极、绝缘层和电极层。第一电极具有在第一导电型半导体层上的至少一个分支。绝缘层设置在第一电极上。电极层设置在绝缘层上。 | ||
申请公布号 | CN101764187B | 申请公布日期 | 2013.07.10 |
申请号 | CN200910265704.0 | 申请日期 | 2009.12.24 |
申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 林祐湜;秋圣镐 |
分类号 | H01L33/38(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/38(2010.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;王春伟 |
主权项 | 一种半导体发光器件,包括:第一导电型半导体层;在所述第一导电型半导体层上的有源层;在所述有源层上的第二导电型半导体层;在所述第一导电型半导体层的第一部分上并且具有至少一个分支的第一电极;覆盖所述第一电极并且包括暴露出所述第一电极的一部分的第一开口的绝缘层;在所述绝缘层的所述第一开口中设置以接触所述第一电极的所述一部分的第一电极垫;接触所述第二导电型半导体层并且具有直接在所述绝缘层上的第一部分的电极层,所述电极层具有在与所述第一导电型半导体层的所述第一部分不同的所述第一导电型半导体层的第二部分上的第二部分,所述电极层的所述第二部分包括暴露出所述第二导电型半导体层的一部分的第二开口;和在所述电极层的所述第二开口中设置以接触所述第二导电型半导体层的所述一部分的第二电极垫。 | ||
地址 | 韩国首尔 |