发明名称 |
最优化图像传感器件的衬底厚度的方法 |
摘要 |
本发明提供了一种制造图像传感器件的方法,包括:提供具有正面和背面的衬底;对位于所述衬底正面的光致抗蚀剂层进行图案化,以限定具有第一宽度的开口,所述光致抗蚀剂层具有与所述第一宽度相关的第一厚度;使用与所述第一厚度相关的注入能量穿过所述开口执行注入工艺,由此在所述衬底中形成第一掺杂隔离部件;形成与所述第一掺杂隔离部件邻近的光敏感部件,所述光敏感部件具有第二宽度;以及从所述背面减薄所述衬底,从而所述衬底具有不超出所述第一掺杂隔离部件的深度两倍的第二厚度。像素尺寸基本上等于所述第一宽度和所述第二宽度的总和。 |
申请公布号 |
CN101807544B |
申请公布日期 |
2013.07.10 |
申请号 |
CN200910173955.6 |
申请日期 |
2009.09.24 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
许慈轩;许家豪;王俊智 |
分类号 |
H01L21/82(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/82(2006.01)I |
代理机构 |
北京德恒律师事务所 11306 |
代理人 |
梁永;马铁良 |
主权项 |
一种制造图像传感器件的方法,包括:提供具有正面和背面的衬底;对位于所述衬底正面的光致抗蚀剂层进行图案化,以限定具有第一宽度的开口,所述光致抗蚀剂层具有与所述第一宽度相关的第一厚度;使用与所述第一厚度相关的注入能量穿过所述开口执行注入工艺,由此在所述衬底中形成第一掺杂隔离部件;形成与所述第一掺杂隔离部件邻近的光敏感部件,所述光敏感部件具有第二宽度;以及从所述背面减薄所述衬底,从而所述衬底具有不超出所述第一掺杂隔离部件的深度两倍的第二厚度;其中像素尺寸等于所述第一宽度和所述第二宽度的总和,其中,所述第一厚度为所述第一宽度的5.5倍,所述注入能量为具有所述第一厚度的所述光致抗蚀剂层能够承受的最大数量的注入能量。 |
地址 |
中国台湾新竹 |