发明名称 一种提高垂直发光二极管芯片亮度的封装结构
摘要 本发明提供一种垂直发光二极管芯片亮度的封装结构,至少包括一支架系统、一胶杯与支架系统之外围相连接、一含有吸光基板的LED芯片置于支架系统之上及封装胶分布于LED芯片之外围,其特征在于:还包括挡板,其包围所述吸光基板的外侧壁。通过在封装结构的支架系统中增设挡板结构,可以有效地避免原本会被吸光基板所吸收的光线,并将其反射出封装结构,增强出光几率,进而提升垂直发光二极管芯片的光强。
申请公布号 CN103199183A 申请公布日期 2013.07.10
申请号 CN201310119165.6 申请日期 2013.04.08
申请人 厦门市三安光电科技有限公司 发明人 赵志伟;江彦志
分类号 H01L33/52(2010.01)I 主分类号 H01L33/52(2010.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种提高垂直发光二极管芯片亮度的封装结构,至少包括一支架系统、一胶杯与支架系统之外围相连接、一含有吸光基板的LED芯片置于支架系统之上及封装胶分布于LED芯片之外围,其特征在于:还包括挡板,其包围所述吸光基板的外侧壁,用于减少基板吸光。
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