形成掩埋导电层方法、材料厚度控制法、形成晶体管方法

摘要

本发明提供用于在形成在半导体基板上的沟槽内形成掩埋导电层的方法、用于控制外延生长的半导体材料的厚度的方法、用于控制外延生长的半导体材料的厚度的方法、用于形成沟槽栅型晶体管的方法。方法包括：在半导体基板和所述沟槽的上表面上形成第一介电材料层；在第一介电材料层上形成第一导电材料层；图样化第一介电材料层和所述第一导电材料层以形成第一导电电极，所述第一导电电极包括在所述沟槽内沿着所述沟槽的纵轴延伸的第一部分以及在所述沟槽的第一末端处的所述基板的顶部上延伸的第二部分；在所述第一导电材料层上形成第二介电材料层；在所述第二导电材料层上形成第二介电材料层；以及图样化所述第二介电材料层和所述第二导电材料层。

主权项

一种用于在形成在半导体基板上的沟槽内形成掩埋导电层的方法，所述方法包括：在所述半导体基板和所述沟槽的上表面上形成第一介电材料层；在所述第一介电材料层上形成第一导电材料层；图样化所述第一介电材料层和所述第一导电材料层以形成第一导电电极，所述第一导电电极包括在所述沟槽内沿着所述沟槽的纵轴延伸的第一部分以及在所述沟槽的第一末端处的所述基板的顶部上延伸的第二部分；在所述第一导电材料层上形成第二介电材料层；在所述第二导电材料层上形成第二介电材料层；以及图样化所述第二介电材料层和所述第二导电材料层以形成第二导电电极，所述第二导电电极具有在所述沟槽内并沿所述沟槽的纵轴延伸的第一部分以及在所述第一导电电极的所述第二部分的顶部上延伸的第二部分。