发明名称 |
具有发光特性的电阻存储器件及其操作方法和应用 |
摘要 |
本发明提供了一种电阻存储器件,包括:底电极;底电极上的介质层;介质层上的顶电极,其中介质层为具有电阻转变和发光特性的材料,底电极和顶电极中的至少一个对介质层所发出的光透明。本发明还提供一种根据本发明的电阻存储器件的操作方法,包括:在底电极和顶电极上施加电压,以将该器件的阻态设置为低阻态或高阻态;在不会使该器件的阻值翻转的电压范围内选择某一电压,且该电压能使该介质层发光;通过透明的底电极或顶电极引出介质层所发出的光;利用介质层发出的光的波长分布识别该器件的阻态。本发明还提供了一种显示器件及其操作方法。 |
申请公布号 |
CN102185102B |
申请公布日期 |
2013.07.10 |
申请号 |
CN201110059937.2 |
申请日期 |
2011.03.11 |
申请人 |
中国科学院物理研究所 |
发明人 |
张培健;赵宏武;潘新宇;孟洋;刘紫玉;李栋;孟庆宇;杨丽丽;梁学锦;陈东敏 |
分类号 |
H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I |
主分类号 |
H01L45/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 |
代理人 |
王勇 |
主权项 |
一种电阻存储器件,包括:底电极;底电极上的介质层;介质层上的顶电极,其中介质层为具有电阻转变和发光特性的材料,介质层所发出的光的特性根据介质层阻态的不同而不同,底电极和顶电极中的至少一个对介质层所发出的光透明;光引出装置,用于将介质层所发出的光引出,以标识介质层阻态的高低。 |
地址 |
100190 北京市海淀区中关村南三街8号 |