| 发明名称 |
RESIST PATTERN IMPROVING MATERIAL, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE |
| 摘要 |
To provide a resist matter improving material containing C4-11 linear alkanediol, and water. |
| 申请公布号 |
KR101283866(B1) |
申请公布日期 |
2013.07.08 |
| 申请号 |
KR20110076186 |
申请日期 |
2011.07.29 |
| 申请人 |
|
发明人 |
|
| 分类号 |
G03F7/004;G03F7/11;G03F7/26;H01L21/027 |
主分类号 |
G03F7/004 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
