Metallgateelektrodenstrukturen mit großem &egr;, die durch Entfernen eines Austrittsarbeitsmetalls an Seitenwänden in einer Austauschgatetechnik hergestellt ist

摘要

Bei der Herstellung komplexer Metallgateelektrodenstrukturen mit großemεauf der Grundlage eines Austauschgateverfahrens werden die Füllbedingungen beim Einfüllen des gut leitenden Elektrodenmetalls, etwa von Aluminium, verbessert, indem das abschließende Austrittsarbeitsmetall, beispielsweise ein Titannitridmaterial, in p-Kanaltransistoren entfernt wird, wobei lediglich ein gut definierte Unterseitenschicht bewahrt wird.