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Verfahren in einem Halbleiterspeicherbauelement zum Steuern der Verbindung eines Leseverstärkers (10) mit und der Trennung von einem ersten bzw. zweiten Speicherarraysegment (550, 650), umfassend: a. in einem programmierbaren Isolationsmodus, Steuern eines ersten Schalters (24) oder eines zweiten Schalters (34), um den Leseverstärker (10) von dem ersten bzw. zweiten Speicherarraysegment (550, 650) zu trennen, wenn das erste Speicherarraysegment bzw. zweite Speicherarraysegment nicht ausgewählt ist, und b. in einem dynamischen Haltemodus, Steuern des ersten Schalters (24) und des zweiten Schalters (34), in einem festen Zustand zu sein, während auf das erste bzw. zweite Speicherarraysegment (550, 650) zugegriffen wird.
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