发明名称 Einschaltsignalgenerator für Halbleiterspeichereinrichtungen
摘要 Einschaltsignalgenerator für eine Halbleiterspeichereinrichtung, welcher aufweist: einen Einschaltdetektor zum Erzeugen eines Einschaltdetektiersignals durch eine externe Versorgungsspannung; einen Einschaltsignalgenerator für einen Tiefenabschaltvorgang zum Erzeugen eines Tiefenabschaltvorgangs-Einschaltsignals als Antwort auf das Einschaltdetektiersignal; einen Einschaltsignalgenerator zum Erzeugen eines Einschaltsignals als Antwort auf das Einschaltdetektiersignal; und ein Einschaltsteuergerät zum Bestimmen, ob das Einschaltsignal beim Eintritt in einen Tiefenabschaltvorgang freigegeben wird oder nicht, wobei der Einschaltsignalgenerator für den Tiefenabschaltvorgang das Tiefenabschaltvorgangs-Einschaltsignals erzeugt, welches immer beim Eintritt in den Tiefenabschaltvorgang und beim Austritt aus dem Tiefenabschaltvorgang durch die externe Versorgungsspannung freigegeben wird, wobei das Einschaltsteuergerät die externe Versorgungsspannung beim Eintritt in den Tiefenabschaltvorgang blockiert und eine interne Versorgungsspannung aus der externen Versorgungsspannung erzeugt und diese an den Einschaltsignalgenerator beim Austritt aus einem Tiefenabschaltvorgang liefert.
申请公布号 DE10251670(B4) 申请公布日期 2013.07.04
申请号 DE2002151670 申请日期 2002.11.06
申请人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 发明人 LEE, KANG SEOL;LEE, JAE JIN;PARK, KEE TEOK
分类号 G11C11/4072;H03K19/00;G11C5/14;G11C7/00;G11C7/20;G11C11/407;G11C11/4074;G11C11/4193 主分类号 G11C11/4072
代理机构 代理人
主权项
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