发明名称 |
Fotoresist-Zusammensetzung für Negativentwicklung und Strukturierungsverfahren damit |
摘要 |
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Fotoresist-Zusammensetzung, die für die Negativentwicklung geeignet ist, und ein diese Fotoresist-Zusammensetzung verwendendes Strukturierungsverfahren. Die Fotoresist-Zusammensetzung weist ein Abbildungspolymer und einen strahlungsempfindlichen Säuregenerator auf. Das Abbildungspolymer weist eine erste Monomereinheit mit einer anhängenden säurelabilen Gruppe und eine zweite Monomereinheit auf, die eine reaktive Ethergruppe, eine Isocyanidgruppe oder eine Isocyanatgruppe enthält. Das Strukturierungsverfahren verwendet ein organisches Lösungsmittel als Entwickler, um unbelichtete Regionen einer Fotoresistschicht aus der Fotoresist-Zusammensetzung selektiv zu entfernen und in der Fotoresistschicht eine strukturierte Struktur zu bilden. Die Fotoresist-Zusammensetzung und das Strukturierungsverfahren sind besonders nützlich, um mithilfe der 193-nm-(ArF)-Lithografie auf einem Halbleitersubstrat Materialstrukturen zu bilden.
|
申请公布号 |
DE112011103052(T5) |
申请公布日期 |
2013.07.04 |
申请号 |
DE201111103052T |
申请日期 |
2011.10.21 |
申请人 |
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORP. |
发明人 |
LI, WAI-KIN;CHEN, KUANG-JUNG;LIU, SEN;HUANG, WU-SONG |
分类号 |
G03F7/004;G03F7/038;G03F7/26;G03F7/32 |
主分类号 |
G03F7/004 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|