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Es sind Photodiodenanordnungen und Fertigungsverfahren vorgesehen. Eine Photodiodenanordnung beinhaltet einen Siliziumwaffer mit einer ersten Oberfläche und einer gegenüberliegenden zweiten Oberfläche und eine Vielzahl von leitenden Durchkontaktierungen durch den Siliziumwafer. Die Photodiodenanordnung beinhaltet ferner eine dotierte epitaktische Schicht auf der ersten Oberfläche, wobei die dotierte epitaktische Schicht und das Substrat eine Vielzahl von Diodenübergängen bilden. Eine Strukturätzung definiert eine Anordnung der Diodenübergänge.
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