| 发明名称 | 半导体结构及其形成方法、CMOS及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构及其形成方法、CMOS及其形成方法，其中半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面具有鳍部；位于所述半导体衬底表面、所述鳍部底部两侧的第一应力侧墙；位于所述鳍部顶部两侧的第二应力侧墙，所述第一应力侧墙与第二应力侧墙的应力类型相反。本发明的半导体结构及CMOS电学性能佳，本发明的半导体结构形成方法及CMOS形成方法工艺窗口大。 | ||
| 申请公布号 | CN103187439A | 申请公布日期 | 2013.07.03 |
| 申请号 | CN201110453483.7 | 申请日期 | 2011.12.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 鲍宇 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面具有鳍部；位于所述半导体衬底表面、所述鳍部底部两侧的第一应力侧墙；位于所述鳍部顶部两侧的第二应力侧墙，所述第一应力侧墙与第二应力侧墙的应力类型相反。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||