| 发明名称 | 场效应晶体管的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种场效应晶体管的制作方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一开口；在所述第一开口内形成多个间隔排列的第一多鳍结构；在所述形成有第一多鳍结构的第一开口中，填充有机物材料；在所述有机物材料上形成光刻胶层，图形化所述光刻胶层；以所述图形化的光刻胶层为掩膜，去除部分第一多鳍结构，形成第二多鳍结构。本发明通过对具有相同线路/空间(line/space)架构的多鳍结构进行调整，使得能够根据工艺需要，获得合适的鳍部之间间距(pitch)尺寸。 | ||
| 申请公布号 | CN103187284A | 申请公布日期 | 2013.07.03 |
| 申请号 | CN201110454057.5 | 申请日期 | 2011.12.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 韩秋华;张海洋 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种场效应晶体管的制作方法，其特征在于，该方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一开口；在所述第一开口内形成多个间隔排列的第一多鳍结构；在所述形成有第一多鳍结构的第一开口中，填充有机物材料；在所述有机物材料上形成光刻胶层，图形化所述光刻胶层；以所述图形化的光刻胶层为掩膜，去除部分第一多鳍结构，形成第二多鳍结构。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||