用于形成氮化物晶体的方法

摘要

提供用于生长氮化物晶体的方法和选自AlN、InGaN、AlGaInN、InGaN和AlGaNInN中的一种的结晶成分。所述成分包括真的单晶，其从直径至少1mm的单核生长，没有横向应变和倾斜晶界，具有低于约104cm-2的位错密度。

主权项

用于生长氮化物晶体的方法，其包括：提供包含低于1重量百分比氧的AlN或InN源材料，所述AlN源材料选自单晶或多晶AlN，或AlxGa1‑x‑yInyN，其中0≤x,y,x+y≤1，和x或y的至少之一为大于0.05；提供矿化剂；任选地，提供一个以上的晶种；提供囊体；用含氮溶剂填充该囊体；在高于约550℃温度下和高于约2kbar的压力下在超临界流体中处理该囊体和内含物。