| 发明名称 | 一种半导体结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出了一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括：衬底；形成在衬底之上的缓冲层；形成在缓冲层之上的第一类型氮化物层；形成在第一类型氮化物层之上的量子点结构，其中，量子点结构包括闪锌矿InxGa(1-x)N量子点，其中，0≤x≤1；以及形成在量子点结构之上的第二类型氮化物层。该半导体结构包括闪锌矿氮化物量子点结构，消除了极化效应，提高了量子效率。 | ||
| 申请公布号 | CN103187498A | 申请公布日期 | 2013.07.03 |
| 申请号 | CN201110453891.2 | 申请日期 | 2011.12.29 |
| 申请人 | 比亚迪股份有限公司 | 发明人 | 陈飞 |
| 分类号 | H01L33/06(2010.01)I;H01L33/18(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01S5/343(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/06(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人 | 张大威 |
| 主权项 | 一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；形成在所述衬底之上的缓冲层；形成在所述缓冲层之上的第一类型氮化物层；形成在所述第一类型氮化物层之上的量子点结构，其中，所量子点结构包括闪锌矿InxGa(1‑x)N量子点，其中，0≤x≤1；以及形成在所述量子点结构之上的第二类型氮化物层。 | ||
| 地址 | 518118 广东省深圳市坪山新区比亚迪路3009号 | ||