发明名称 静态随机存储器及其存取控制方法及其位线预充电电路
摘要 本发明涉及静态随机存储器及其存取控制方法及其位线预充电电路,包括充电单元,所述充电单元包括晶体管PP1、晶体管PP2、晶体管PEQ,还包括或门电路OR,所述或门电路OR的输入端接列选择信号SEL_n和控制信号APREN,所述或门电路OR的输出端输出预充电控制信号PREN_n给充电单元。本发明解决了现有的静态存储器在可靠性、设计成本和难度的技术问题,本发明通过增加一个额外的预充电控制信号APREN,在读写操作时,将存储单元阵列中不需要访问的列的预充电电路也关闭掉,然后对需要访问的列的目标存储单元进行相对操作。
申请公布号 CN103187093A 申请公布日期 2013.07.03
申请号 CN201310086079.X 申请日期 2013.03.18
申请人 西安华芯半导体有限公司 发明人 拜福君;付妮
分类号 G11C11/413(2006.01)I 主分类号 G11C11/413(2006.01)I
代理机构 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人 张倩
主权项 一种静态随机存储器的位线预充电电路,包括充电单元,所述充电单元包括晶体管PP1、晶体管PP2、晶体管PEQ,其特征在于:还包括或门电路OR,所述或门电路OR的输入端接列选择信号SEL_n和控制信号APREN,所述或门电路OR的输出端输出预充电控制信号PREN_n给充电单元。
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