金属卟啉-蒽有机半导体材料及其制备方法和应用

摘要

本发明属于光电子材料领域，其公开了一种金属卟啉-蒽有机半导体材料及其制备方法和应用；该金属卟啉-蒽有机半导体材料具有结构式(I)；式中：n为1-100间的整数，R₁，R₂，R₃，R₄为H、C₁-C₃₂的烷基、苯基、含有一个或多个C₁-C₃₂的烷基苯或烷氧基苯；M为金属离子。本发明提供的一种金属卟啉-蒽有机半导体材料，成膜性能好，载流子迁移率高，吸光度强，对光吸收范围宽，提高了其对太阳光的利用率。此外，其制备方法工艺简单、易于操作和控制。

主权项

1.具有如下通式（I）的金属卟啉-蒽有机半导体材料：式中：n为1-100间的整数，R₁，R₂，R₃，R₄为H、C₁-C₃₂的烷基、苯基或含有一个或多个C₁-C₃₂的烷基的苯基或烷氧基的苯基；M为金属离子Zn²⁺、Cu²⁺、Fe²⁺、Co²⁺、Cd²⁺、Pt²⁺、Zr²⁺、Mn²⁺、Ni²⁺、Pb²⁺或Sn²⁺中的一种。