薄膜晶体管阵列基板及其制造方法与退火炉

摘要

本发明揭露一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法与使用在其制造方法的退火炉。薄膜晶体管阵列基板包含基底、栅极层、绝缘层、氧化物半导体层、源极/漏极层、有机压克力系光阻、保护层以及导电层。栅极层是形成于基底上。绝缘层是形成于栅极层及基底上。氧化物半导体层形成于绝缘层上。源极/漏极层是形成于绝缘层及氧化物半导体层上，源极/漏极层形成有间隙，氧化物半导体层自间隙露出。有机压克力系光阻是覆盖于源极/漏极层上。保护层是形成于基底、氧化物半导体层及有机压克力系光阻上。导电层设置于保护层或有机压克力系光阻上且连接至源极/漏极层或栅极层。

主权项

一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包含：一基底；一栅极层，形成于该基底上；一绝缘层，形成于该栅极层及该基底上；一氧化物半导体层，形成于该绝缘层上；一源极/漏极层，设置于该绝缘层及该氧化物半导体层上，该源极/漏极层形成有一间隙，该氧化物半导体层自该间隙露出；一有机压克力系光阻层，覆盖于该源极/漏极层上；一保护层，形成于该基底、该氧化物半导体层及该光阻层上；以及一导电层，设置于该保护层或该光阻层上且连接至该源极/漏极层或该栅极层。