| 发明名称 | n型MOS场效应管及形成方法，半导体器件及形成方法 | ||
| 摘要 | n型MOS场效管及形成方法，半导体器件及形成方法。其中n型MOS场效应管的形成方法包括步骤：提供半导体衬底，在半导体衬底表面依次形成栅介质层和栅极；以栅介质层和栅极为掩膜，在半导体衬底内进行第一次离子注入，形成轻掺杂源漏区；以栅介质层和栅极为掩膜，在半导体衬底内进行第二次离子注入，形成晕区，所述晕区包围轻掺杂源漏区；在栅介质层和栅极两侧形成侧墙；以栅极和侧墙为掩膜，在半导体衬底内进行第三次离子注入，形成重掺杂源漏区；在晕区或重掺杂源漏区内进行氮、锗、碳、氟离子的复合注入；进行快速退火，激活轻掺杂源漏区、晕区和重掺杂源漏区内的离子。所形成的n型MOS场效应管重叠电容减小。 | ||
| 申请公布号 | CN103187276A | 申请公布日期 | 2013.07.03 |
| 申请号 | CN201110446082.9 | 申请日期 | 2011.12.27 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 李勇;居建华 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种n型MOS场效应管的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底，在半导体衬底表面依次形成栅介质层和栅极；以栅介质层和栅极为掩膜，在半导体衬底内进行第一次离子注入，形成轻掺杂源漏区；以栅介质层和栅极为掩膜，在半导体衬底内进行第二次离子注入，形成晕区，所述晕区包围轻掺杂源漏区；在栅介质层和栅极两侧形成侧墙；以栅极和侧墙为掩膜，在半导体衬底内进行第三次离子注入，形成重掺杂源漏区；在晕区或重掺杂源漏区内进行氮、锗、碳、氟离子的复合注入；进行快速退火，激活轻掺杂源漏区、晕区和重掺杂源漏区内的离子。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||