| 发明名称 | 耐电浆构件及其再生方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种即使暴露于电浆也难以产生微粒且可再利用的耐电浆构件，该耐电浆构件具有预定的表面形状，在电浆蚀刻腔室内使用。该耐电浆构件具备：第1SiC层12，其通过CVD法所形成且被暴露于电浆蚀刻处理而表面腐蚀；及第2SiC层13，其于所述第1SiC层12的腐蚀的表面上通过CVD法层迭且被机械加工成表面具有所述预定的表面形状。 | ||
| 申请公布号 | CN103189967A | 申请公布日期 | 2013.07.03 |
| 申请号 | CN201180040901.8 | 申请日期 | 2011.06.30 |
| 申请人 | 三井造船株式会社;株式会社ADMAP | 发明人 | 川本聪;中村将基;高原英幸;万俊·吴 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;C04B41/87(2006.01)I;C04B41/91(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人 | 程凤儒 |
| 主权项 | 一种具有预定的表面形状，在电浆蚀刻腔室内使用的耐电浆构件，其特征在于，其具备：第1SiC层，其通过CVD法所形成且被暴露于电浆蚀刻处理而表面腐蚀；及第2SiC层，其于所述第1SiC层的腐蚀的表面上通过CVD法层迭且被机械加工成表面具有所述预定的表面形状。 | ||
| 地址 | 日本东京都中央区築地5丁目6番4号 | ||