发明名称 |
光学邻近效应修正方法及相应的掩膜图形形成方法 |
摘要 |
本发明提供一种光学邻近效应修正方法,包括模拟预期光刻图形,获得所模拟形成的光刻图形与预期光刻图形的差,依据所述差调整所述预期光刻图形,依据所述差对预期光刻图形进行调整包括根据模拟形成的光刻图形与预期光刻图形的差与调整因子之间的预设关系,获得与所模拟形成的光刻图形与预期光刻图形的差相对应的调整因子,由所述差与所述调整因子相乘获得所述预期光刻图形的调整量,以及根据该调整量调整所述预期光刻图形。依据该方法可避免预期光刻图形在形成硅片表面的光刻图形后产生偏差。 |
申请公布号 |
CN103186032A |
申请公布日期 |
2013.07.03 |
申请号 |
CN201110456959.2 |
申请日期 |
2011.12.31 |
申请人 |
无锡华润上华科技有限公司 |
发明人 |
万金垠;王谨恒;张雷;陈洁 |
分类号 |
G03F1/36(2012.01)I |
主分类号 |
G03F1/36(2012.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
杜娟娟;王忠忠 |
主权项 |
一种光学邻近效应修正方法,包括模拟预期光刻图形,获得所模拟形成的光刻图形与预期光刻图形的差,依据所述差调整所述预期光刻图形,其特征在于,依据所述差对预期光刻图形进行调整包括根据模拟形成的光刻图形与预期光刻图形的差与调整因子之间的预设关系,获得与所模拟形成的光刻图形与预期光刻图形的差相对应的调整因子,由所述差与所述调整因子相乘获得所述预期光刻图形的调整量,以及根据该调整量调整所述预期光刻图形。 |
地址 |
214028 中国无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 |