| 发明名称 | 具有高电压晶体管的集成电路系统及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有高电压晶体管的集成电路系统及其制造方法。其中一种集成电路系统的制造方法，包括：提供具有主动区的半导体基板，该主动区注入了第一浓度的第一类型杂质；围绕该主动区形成隔离区；在该主动区和隔离区的上方施加栅极电极，从而形成寄生晶体管，其中，该栅极电极注入了第二浓度的第二类型杂质；以及施加隔离边缘注入，以抑制该寄生晶体管，其中，该隔离边缘注入采用第三浓度的第一类型杂质，该第三浓度大于或等于该第二浓度。 | ||
| 申请公布号 | CN101930946B | 申请公布日期 | 2013.07.03 |
| 申请号 | CN201010200589.1 | 申请日期 | 2010.06.08 |
| 申请人 | 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 | 发明人 | 董业民;P·R·韦尔马;邹欣;程超;鞠韶復 |
| 分类号 | H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;靳强 |
| 主权项 | 一种集成电路系统的制造方法，包括：提供具有主动区的半导体衬底，该主动区注入了第一浓度的第一类型杂质；围绕该主动区形成隔离区；在该主动区和隔离区的上方施加栅极电极，从而形成寄生晶体管，其中，该栅极电极注入了第二浓度的第二类型杂质；以及施加隔离边缘注入于邻近沟槽的阱区，以抑制该寄生晶体管，其中，该隔离边缘注入采用第三浓度的第一类型杂质，该第三浓度大于或等于该第二浓度。 | ||
| 地址 | 新加坡新加坡城 | ||