一种在等离子体刻蚀室内刻蚀氧化硅层的方法

摘要

本发明公开了一种在等离子体刻蚀室内刻蚀氧化硅层的方法，将等离子体刻蚀室的下电极连接一射频电源，所述射频电源的频率为小于27兆赫兹，功率小于1000瓦并控制等离子体刻蚀室内反应气体中氟碳化合物和氧化物含量的比例范围为1∶3-10∶1使得等离子体刻蚀室内等离子体浓度较低，再配合对反应气体流速控制，使得光刻胶保护的氧化硅层的刻蚀速率较慢，便于对刻蚀过程的控制；同时采用低频率的射频电源，还可以保证等离子体分布较均匀，从而使得待刻蚀工件均匀度较好。

主权项

一种在等离子体刻蚀室内刻蚀氧化硅层的方法，其特征在于：所述的氧化硅层位于光刻胶掩膜层下方，厚度小于100纳米；所述的等离子体刻蚀室包括一上电极和一下电极，所述的下电极上设置一静电吸盘，所述静电吸盘上放置待处理晶片；所述下电极连接一射频电源，所述射频电源的频率为小于27兆赫兹，功率小于1000瓦；所述等离子体刻蚀室内反应气体中氟碳化合物和氧化物含量的比例范围为1∶3‑10∶1。