| 发明名称 | 钽的离子诱导原子层沉积 | ||
| 摘要 | 本发明公开了用于在晶片衬底上沉积钽层的系统、方法和装置。在一个方案中，可以使用利用钽前体的离子诱导原子层沉积工艺在晶片衬底的表面上沉积钽层。可以在所述钽层上沉积铜。 | ||
| 申请公布号 | CN103189964A | 申请公布日期 | 2013.07.03 |
| 申请号 | CN201180053148.6 | 申请日期 | 2011.09.23 |
| 申请人 | 诺发系统公司 | 发明人 | 朴桂珍;罗郑硕;维克托·卢 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人 | 李献忠 |
| 主权项 | 一种方法，其包括：（a）使用利用钽前体的离子诱导原子层沉积工艺在晶片衬底的表面上沉积钽层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||