发明名称 |
存储器 |
摘要 |
本发明提供一种存储器,主要解决了现有存储器中加入的两个额外的存储阵列中的存储单元不能读写,从而导致晶元面积利用率低,产品成本高的问题。该存储器包括多个存储阵列,各存储阵列之间均设置有灵敏放大器阵列;两端部存储阵列的外侧设置有基准电位提供模块,基准电位提供模块与端部存储阵列之间设置有灵敏放大器阵列;基准电位提供模块是选通管或电容,选通管与存储阵列中的选通管类型相同,大小为存储阵列中的选通管大小的N倍,N为一个字线上所连接的存储单元的个数。该存储器提高晶元面积利用率,极大地减少了芯片的体积和加工成本。 |
申请公布号 |
CN103187087A |
申请公布日期 |
2013.07.03 |
申请号 |
CN201310088451.0 |
申请日期 |
2013.03.19 |
申请人 |
西安华芯半导体有限公司 |
发明人 |
亚历山大;俞冰 |
分类号 |
G11C7/06(2006.01)I;G11C7/12(2006.01)I |
主分类号 |
G11C7/06(2006.01)I |
代理机构 |
西安智邦专利商标代理有限公司 61211 |
代理人 |
杨引雪 |
主权项 |
一种存储器,包括多个存储阵列,各存储阵列之间均设置有灵敏放大器阵列;其特征在于:所述两端部存储阵列的外侧设置有基准电位提供模块,基准电位提供模块与端部存储阵列之间设置有灵敏放大器阵列;所述基准电位提供模块是选通管,选通管与存储阵列中的选通管类型相同,大小为存储阵列中的选通管大小的N倍,N为一个字线上所连接的存储单元的个数。 |
地址 |
710055 陕西省西安市高新6路38号腾飞创新中心A座4层 |