| 发明名称 | 基板的处理装置及处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种能够对半导体晶片的面可靠地进行基于蚀刻液的蚀刻加工的基板的处理装置及处理方法。基板的处理装置具备：第一喷嘴体（25），对半导体晶片（W）的板面供给蚀刻液（E）；厚度检测传感器（29），检测由蚀刻液蚀刻的半导体晶片的厚度；控制装置，在由厚度检测传感器检测出的半导体晶片的厚度为异常时，使基于蚀刻液的蚀刻中断；以及研磨体（27），在基于蚀刻液的蚀刻中断时，将半导体晶片的板面加工成粗糙面。 | ||
| 申请公布号 | CN103187341A | 申请公布日期 | 2013.07.03 |
| 申请号 | CN201210574314.3 | 申请日期 | 2012.12.26 |
| 申请人 | 芝浦机械电子株式会社 | 发明人 | 林航之介;松井绘美;大田垣崇;桧森洋辅 |
| 分类号 | H01L21/67(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/321(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/67(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 戚宏梅;杨谦 |
| 主权项 | 一种基板的处理装置，通过蚀刻液对基板的板面进行蚀刻，其特征在于，具备：蚀刻液供给机构，对上述基板的板面供给蚀刻液；厚度检测机构，检测由上述蚀刻液蚀刻的上述基板的厚度；控制机构，在由该厚度检测机构检测出的上述基板的厚度为异常时，使基于上述蚀刻液的蚀刻中断；以及加工机构，在基于上述蚀刻液的蚀刻中断时，将上述基板的板面加工成粗糙面。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||