| 发明名称 |
发光二极管芯片及其制造方法 |
| 摘要 |
一种发光二极管芯片，包括基板、设于该基板上的缓冲层、及设于该缓冲层上的磊晶结构。所述磊晶结构包括依次形成在所述缓冲层上的n型半导体层、发光层以及p型半导体层。该基板具有一与所述缓冲层接触的第一表面，该第一表面上形成有图案化结构，该n型半导体层具有一远离所述缓冲层的顶面，该顶面与该缓冲层的第一表面的距离为0.5-2.5μm。本发明还涉及一种发光二极管芯片的制造方法。 |
| 申请公布号 |
CN103187495A |
申请公布日期 |
2013.07.03 |
| 申请号 |
CN201110443704.2 |
申请日期 |
2011.12.27 |
| 申请人 |
展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
发明人 |
林雅雯;凃博闵;黄世晟;黄嘉宏;杨顺贵 |
| 分类号 |
H01L33/02(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/02(2010.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种发光二极管芯片，包括基板、设于该基板上的缓冲层、及设于该缓冲层上的磊晶结构，所述磊晶结构包括依次形成在所述缓冲层上的n型半导体层、发光层以及p型半导体层，其特征在于，该基板具有一与所述缓冲层接触的第一表面，该第一表面上形成有图案化结构，该n型半导体层具有一远离所述缓冲层的顶面，该顶面与该缓冲层的第一表面的距离为0.5‑2.5μm。 |
| 地址 |
518109 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号 |
